A.片外RAM的20H和21H
B.片内RAM的20H和21H
C.片外RAM的20H,21H,22H和23H
D.片内RAM的20H
第7题
A、反映并联谐振回路的损耗大小
B、空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)除以损耗电阻R
C、空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以并联谐振时的感抗(或容抗)
D、有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp、信号源电导Gs、负载电导GL之和
E、空载品质因素等于并联谐振时的总电抗与损耗电阻R之比
F、空载品质因素等于并联谐振时的电抗之和与并联谐振电阻Rp之比
G、空载品质因素等于特性阻抗与并联谐振电阻Rp之比
H、相比仅考虑空载品质因素时的通频带,考虑有载品质因素时的通频带降低
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