A.发射极延迟时间
B.基区渡越时间
C.集电结势垒渡越时间
D.集电极延迟时间
第1题
A、截止频率
B、特征频率
C、最高振荡频率
D、以上都不对
第2题
A、具有良好的温度特性,高输入阻抗
B、截止频率较高,功率消耗较低
C、功率容量高
D、通常增益较高
第3题
A、开启延迟时间
B、上升时间
C、储存时间
D、下降时间
第4题
此题为判断题(对,错)。
第5题
A、窄禁带材料制作发射区,用宽禁带材料制作基区
B、宽禁带材料制作基区区,用窄禁带材料制作集电区
C、窄禁带材料制作基区,用宽禁带材料制作集电区
D、宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区
第6题
什么是双极型晶体管的高频优值?如何提高双极型晶体管的高频优值?
第7题
A、滤波作用
B、稳 压 作 用
C、单 向 导 电 性
D、电 流 放 大 作 用
第8题
A.一个PN结组成
B.二个PN结组成
C.三个PN结组成
第9题
A、发射结
B、共射结
C、基结
D、集电结
第10题
简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么?
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