A.小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式
B.BJT器件型号确定后,小信号模型的参数也就确定了
C.电路工作点确定后,小信号模型的参数也就确定了
D.不同结构类型的BJT器件小信号模型是不一样的
第1题
A、用于分析工作在饱和区的FET器件;
B、用于分析工作在任何工作区的FET器件;
C、用于分析FET器件对交流信号的响应;
D、用于分析FET器件对直流信号的响应;
第5题
A、二极管的小信号模型就是一个电阻
B、小信号模型中的微变等效电阻与静态工作点有关
C、当静态电流越大时,所对应的微变等效电阻就越小
D、当静态电流越大时,所对应的微变等效电阻就越大
第8题
A、MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立
B、当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时,可用小信号模型简化计算
C、MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数
D、MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
第9题
A、小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记
B、若小信号变化幅度过大,则会影响直流偏置点,需用大信号分析
C、假定某MOS器件的栅源过驱动电压VGS – VTH = 0.5V,则|vgs(t)|可视为小信号的变化范围为0.5V
D、一般小信号是交流信号
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