A.使空间电荷区变厚
B.抑制漂移,促进扩散
C.使反向饱和电流增大
D.使反向饱和电流减小
第1题
齐齐哈尔工程学院2019—2020学年第二学期月考试卷(一) 课程名称:《模拟电子技术》 一、填空题(共40分,每题2分) 1.半导体中有两种载流子:自由电子与( )。 2.因浓度差而产生的运动称为( )。 3.将两种杂质半导体制作在同一个硅片(或锗片)上,在它们的交界面处,上述两种运动最终达到动态平衡,从而形成( )。 4.三极管中漂移运动形成( )电流。 5. 由一个PN结组成,( )后在一定的电流范围内端电压基本不变,为稳定电压。 6.PN结正偏时( ),反偏时( ),所以PN结具有( )导电性。 7.漂移电流是( )电流,它由( )载流子形成,其大小与( )有关,而与外加电压( )。 8.所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为( ),等效成断开; 9.P型半导体中空穴为( )载流子,自由电子为( )载流子。 10.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结( ),集电结( )。 11.当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic( ),发射结压降( )。 二、选择题(共10分,每题2分) 1.二极管两端电压大于( )电压时,二极管才导通。 A. 击穿电压 B. 死区 C. 饱和 D.开启电压 2.当温度升高时,二极管的正向电压( )。 A. 增大 B. 减小 C.不变 D.无法判定 3.晶体管在放大工作区时,随Ib的增加β值( )。 A、增加 B、下降 C、不变 D无法确定 4.三极管的反向电流ICBO是由( )组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 5.如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为( ) A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D不能确定。 三、判断题(共20分,每题2分) 1.PN结有单向导电性。( ) 2.三极管有三区、三极和三个PN结。( ) 3.三极管的发射结反偏,集电结正偏,起放大作用。( ) 4.复合运动形成的基极电流。( ) 5.二极管的热击穿可逆,电击穿不可逆。( ) 6.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。( ) 7.未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。( ) 8.半导体中的空穴带正电。 ( ) 9.P型半导体带正电,N型半导体带负电。 ( ) 10.稳压二极管工作在反向击穿状态。( ) 四、画图题(共30分) 电路如图所示,已知ui=5sinωt (V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uO的波形,并标出幅值。
第2题
A、平衡PN结中不存在扩散和漂移电流
B、平衡PN结中P区和N区的费米能级应该是统一的
C、平衡PN结中自建电场的方向是从P区指向N区
D、平衡PN结的空间电荷区中的载流子浓度和P区,N区中的多子浓度基本一致
第3题
A、平衡PN结中,N型半导体一侧的空间电荷 区是由施主杂质离子构成的
B、正向电压作用下,PN结电容以扩散电容为主
C、PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
D、PN结始终具有整流特性
第6题
A. PN结;导通,截止;PN结
B. 晶体管;截止,导通;PN结
C. 晶体管;导通,截止;晶体管
D. PN结;截止,导通;晶体管
E. 晶体管;截止,导通;晶体管
第9题
A. 将测量的热电势与标准热电势相比较并输出不平衡电压
B. 将测量的电流与标准电流相比较并输出不平衡电流
C. 将测量的热电势与标准热电势相比较并通过补偿使之达到平衡状态
D. 将测量的电阻与标准电阻相比较并通过补偿使之达到平衡状态
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