为了使射极偏置电路在稳定静态工作点的同时，电压增益不明显减小，通常在射极偏置电阻Re两端并联大小合适的电容，又称旁路电容。

A、基极分压式射极偏置电路的静态工作点比基本共射电路更稳定

B、射极偏置共射极电路（无旁路电容）的电压增益绝对值比基本共射电路的电压增益绝对值更小

C、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）的电压增益绝对值比基本共射电路的电压增益绝对值更大

D、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）中的Ri，因为射极偏置电阻的存在，比较大

E、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）的Ro比基本共射电路的Ro更小

F、基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）中的Ri，因为射极偏置电阻的存在，比较小

G、射极偏置共射极电路（无旁路电容）的Ro相比基本共射电路的Ro不变

A、射极偏置电路的静态工作点比基本共射电路更稳定

B、射极偏置电路（无旁路电容）的电压增益大小比基本共射电路的电压增益大小更小

C、射极偏置电路（无旁路电容）的Ri比基本共射电路的Ri更大

D、射极偏置电路（无旁路电容）的Ro比基本共射电路的Ro更小

A、射极偏置电路的静态工作点比基本共射电路更稳定

B、射极偏置电路（无旁路电容）的电压增益绝对值比基本共射电路的电压增益绝对值更小

C、射极偏置电路（无旁路电容）的电压增益绝对值比基本共射电路的电压增益绝对值更大

D、射极偏置电路（无旁路电容）的Ri比基本共射电路的Ri更大

E、射极偏置电路（无旁路电容）的Ro比基本共射电路的Ro更小

F、射极偏置电路（无旁路电容）的Ri比基本共射电路的Ri更小

G、射极偏置电路（无旁路电容）的Ro相比基本共射电路的Ro不变

集电极-基极偏置放大器的静态工作点不稳定,易受温度影响。（） 第 一种是固定偏置放大电路。 第二种是分压式射极偏置电路。 第三种为: 集电极—基极偏置电路,它是利用电压负反馈作用来稳定静态工作点的,称为电压负反馈偏置电路。 集电极—基极偏置电路稳定静态工作点原理是:当温度上升时,由于三极管参数的影响,使 ICQ 增大,集电极负载电阻 R c 上的电压降随之增大,导致 VCEQ 减小, IBQ 减小,促使 ICQ 减小。这 样就牵制了 ICQ 的增大,从而使 ICQ 基本不随温度变化,稳定了静态工作点。这种调节过程称为直流电压负反馈。集电极—基极偏置电路不适合 Rc 值很小的放大电路。 第四种是温度补偿偏置电路

BJT射极偏置电路中，发射极偏置电阻在直流通路中的存在能够稳定BJT的静态工作点。

图2-11(a)所示电路是能稳定静态工作点的射极偏置电路。若已知：U_CC=12V，R_b2=3kg，R_e=1kΩ，R_c=2kg，三极管为硅管，β=50，欲使U_CE=6V，问基极上偏置电阻R_b1应为多大?此时I_BQ和I_CQ各为多少?

   

分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。 （ ）

此题为判断题(对，错)。