以下对于二次再结晶的说法，哪一个是正确的（）

A. 适宜的中温可以使在冷却过程中析出的碳酸氢钠在已有晶核上继续生长，而不过多的产生二次晶核。

B. 碳化液在较小过饱和度下开始结晶时，成核速率大于晶核成长速率

C. 在同样的过饱和度下，较高温度时晶体成长的速率大于与之相适应的晶核生成速率

D. 要保持临界点与冷却段上层出水位置之间的距离不少于3m

E. 在操作过程中，中温达到一定指标之前，不开或少开冷却水，加水时应缓慢的加

F . F、尽可能提高进塔CO₂浓度

B.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能

C.大晶粒界面与邻近低表面能和大曲率半径的晶面相比有效高的表面能

D.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效高的表面能

A.控制烧结速率

B.控制粒晶

C.加适当的添加剂

D.改变温度

简述一次再结晶与二次再结晶的驱动力，并如何区分冷、热加工？动态再结晶与静态再结晶后的组织结构的主要区别是什么？

什么是焊缝的一次结晶和二次结晶？

A.少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

B.多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

C.晶粒不断成核长大的过程

D.少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

A.原始粒度不均匀

B.烧成温度偏高

C.烧成温度偏低

D.烧结速度太快