已知Si中每立方厘米掺有个硼原子
A、这是N-Si
B、该半导体中费米能级在禁带中心的上方
C、该半导体中NA=
D、该半导体中电子浓度为
第1题
已知硅半导体中每立方厘米掺有1个硼原子,则:
A、这是N-Si
B、电子浓度为
C、该半导体中空穴为少数载流子
D、该半导体的费米能级在禁带中心下方
第3题
若半导体中硼的浓度为,磷的浓度为则
A、该半导体为N型半导体,多子是电子
B、该半导体为N型半导体,多子是空穴
C、该半导体为P型半导体,多子是电子
D、该半导体为P型半导体,多子是空穴
第4题
已知铅为fcc面心立方晶体结构,其原子半径R=mm,则在铅的(100)平面上的原子个数和该面上1的原子分别为( )。
A、每个(100)面上的原子个数为2
B、每个(100)面上的原子个数为1
C、1 mm2(100)面上的原子个数为
D、1 mm2(100)面上的原子个数为
第7题
已知铅为fcc面心立方晶体结构,其原子半径mm,则在铅的(100)平面上的原子个数和该面上1的原子分别为( )。
A、每个(100)面上的原子个数为2
B、每个(100)面上的原子个数为1
C、1(100)面上的原子个数为
D、1(100)面上的原子个数为
第8题
已知铅为fcc面心立方晶体结构,其原子半径R=mm,则在铅的(100)平面上的原子个数和该面上1的原子分别为( )。
A、每个(100)面上的原子个数为2
B、每个(100)面上的原子个数为1
C、1 mm2(100)面上的原子个数为
D、1 mm2(100)面上的原子个数为
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