以下材料中，属于直接禁带半导体的是？

A、禁带中央附近的深能级

B、半导体材料表面

C、杂质的浅能级

D、杂质

E、缺陷

A、宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力

B、宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更大的过流能力

C、宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更快的开关速度

D、宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更低的成本

A、钛

B、镓

C、锗

D、硅

E、钠

F、紫铜

G、铅

H、硫

I、镁

A、镓

B、锡

C、锗

D、钛

E、钒

F、铁

A、GaAs

B、CdTe

C、Si

D、CuInSe2

A、硅

B、金属铝

C、氮化镓

D、氮化铝

A.价带多于禁带

B.导带多于价带

C.价带多于导带

D.导带多于禁带

A、SnO2

B、MnO2

C、ZnO

D、CO

B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO₂

C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D、易于进行n型和p型掺杂

A、这是P型半导体

B、费米能级越高，该半导体的杂质浓度越高

C、该半导体中的少子是电子

D、该半导体中电子和空穴浓度相同