半导体二极管正向偏置，处在正常工作状态，即使流过管子的电流变化很大， 管子两端的电压变化也很小。

B、不为常数，随电流加大而减小

C、不为常数，随工作电流加大而加大

D、不为常数，随电流加大先减小后加大

A、0.5V

B、0.2~0.3V

C、0.6~0.7V

D、

A、电流大电阻小

B、电流大电阻大

C、电流小电阻小

D、电流小电阻大

A、反向偏置击穿状态

B、反向偏置未击穿状态

C、正向偏置导通状态

D、正向偏置未导通状态

A、半导体的多子流向金属形成，方向从金属指向半导体

B、半导体的多子流向金属形成，方向从半导体指向金属

C、半导体的少子流向金属形成，方向从金属指向半导体

D、半导体的少子流向金属形成，方向从半导体指向金属

A. 过零点的直线

B. 不过零点的直线

C. 经过零点的一条射线

D. 近似一条指数线

A、半导体二极管正偏时，势垒区变窄

B、半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致

C、常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V

D、常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V

E、常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V

F、常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V

A、半导体二极管正偏时，势垒区变窄

B、半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致

C、常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V

D、常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V

A．正向电压超过某一数值后I随U按指数规律变化的曲线

B．正向电压超过某一数值后才有电流的直线

C．过坐标轴零点，I随U按指数规律变化的曲线

D．过坐标轴零点的直线