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晶体管的最大功率增益Kpmax下降到1时所对应的频率称为最高振荡频率，记为fM 。

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第1题

片式晶体管的最大功率为()。

A.2w

B.1w

C.8w

D.4w

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第2题

在晶体三极管的主要特性参数中,集电极最大耗散功率是指当温度升高到晶体管的最高允许温度时,在集电极上所耗散的功率值。

此题为判断题(对，错)。

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第3题

某谐振功率放大器的折线化转移特性如图5．4．2所示。已知所用的晶体管参数为：fT≥150 MHz，功率增益Ap≥13 dB，允许通过的最大集电极电流ICM=3 A，容许的最大集电极耗散功率PCM=5 W。VBZ=0．6 V，负偏压-VBB=-1．4 V，θc=70°，VCC=24 V，ξ=0．9。试求输出功率、集电极效率与基极激励功率。

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第4题

电力晶体管是A控制型器件。

A.电流

B.电压

C.功率

D.频率

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第5题

宽带放大器的基极回路补偿，重点是对晶体管()进行补偿。

A、变频增益下降

B、低频增益下降

C、输出电容

D、分布电容

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第6题

电力晶体管是()控制型器件。

A.电流

B.电压

C.功率

D.频率

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第7题

说明fα，fβ，fT和最高振荡频率fmax的物理意义，它们相互间有什么关系?同一晶体管的fT比fmax高，还是比fmax低?为什么?

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第8题

用高频小功率管3AG32H作为混频管。信号频率与中频分别为fs=1MHz，fi=465kHz;其工作点为VCE=－6V,IE=0.5mA;参数为β0=35,fT≈6.5MHz,rbb'=200Ω,gce=4uS,Cb'c=7pF。计算此晶体管混频器的gc、gic、goe和最大变频功率增益，若输出中频回路的Q0=100，且为η=1的双失谐回路，要求通频带2△f0.7为10kHz，试求变频器的实际变频

用高频小功率管3AG32H作为混频管。信号频率与中频分别为f_s=1MHz，f_i=465kHz;其工作点为V_CE=-6V,I_E=0.5mA;参数为β₀=35,f_T≈6.5MHz,r_bb'=200Ω,g_ce=4uS,C_b'c=7pF。计算此晶体管混频器的g_c、g_ic、g_oe和最大变频功率增益，若输出中频回路的Q₀=100，且为η=1的双失谐回路，要求通频带2△f_0.7为10kHz，试求变频器的实际变频功率增益。

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第9题

单结晶体管触发器的最大特点是()。

A.输出脉冲前沿陡度较好

B.功率增益大,温度补偿性能好

C.可以方便的整定脉冲宽度

D.触发脉冲稳定

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第10题

由高频功率晶体管2SC3102组成的谐振功率放大器，其工作频率f=520 MHz，输出功率Po=60 W，VCC=12．5 V。(1)当ηC=60％时，试计算管耗PC和平均分量IC0值；(2)若保持Po不变，将ηC提高到80％，试问PC减少多少?

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