A.在异质 pn 结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
B.在异质 pn 结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度 。
C.在异质 pn 结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
D.在异质 pn 结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。
第5题
A、两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。
B、两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。
C、能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
D、双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
第6题
A. 排汽压力下,饱和温度与循环水进口温度;
B. 排汽压力下,饱和温度与凝结水进口温度;
C. 排汽压力下,饱和温度与循环水出口温度;
D. 排汽温度与排汽压力下,饱和温度差。
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