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[单选题]

对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态？

A. 对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态？

B. 对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态？

C. 对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态？

D. 对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态？

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更多“对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是n型半导体表面的少子反型状态？”相关的问题

第1题

本征半导体、n型半导体和p型半导体中的载流子各是什么?它们的能带结构有何区别?

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第2题

试分别从导电的机制与能带的观点说明什么是本征半导体、N型半导体和P型半导体。

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第3题

导体能带结构特点是＿＿．绝缘体能带结构特点是＿＿．半导体的能带结构是＿＿．

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第4题

什么是N型半导体？P型半导体？

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第5题

从能带结构来看，本征半导体的导电机制是什么？

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第6题

加入杂质后，N型半导体和P型半导体的能带结构各发生了什么变化？对导电性能产生了什么影响？

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第7题

什么是本征半导体?什么是杂质半导体?以示意图表示它们的能带结构。说明半导体是如何导电的。

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第8题

MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是()。(VS为半导体表面电势;qVB=Ei－EF)

A.VS=VB

B.VS=2VB

C.VS=0

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第9题

试用能带的观点说明什么是导体、半导体和绝缘体?

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第10题

导体、绝缘体和半导体的能带结构有何不同?

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