关于光电二极管的检测，下列说法错误的是：

A. 整流功能

B. 滤波功能

C. 钳位功能

D. 小范围稳压功能

B、在光电二极管内部，光电流的方向是从P区流向N区的

C、光电二极管在反偏电压下，受到光照，因本征激发而产生的反向电流称为光电二极管的光电流

D、光电二极管无光照时的反向电流称为光电二极管的暗电流

A.自由电了是多数载流子

B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极

C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体

D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

A. 空穴是多数载流子

B. 在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C. 在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D. 在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

B、光电二极管工作在伏安特性曲线的第三象限时，可等效成一个受光照度控制的线性恒流源

C、光照度增大，由于本征激发加强，光电二极管的伏安特性曲线是随光照度增大而下移的一组近似于互相平行的曲线。

D、无光照的光电二极管与普通二极管一样，具有单向导电性

A、二极管一般在正向电压下工作

B、二极管一般在反向击穿状态下工作

C、稳压二极管一般在正向电压下工作

D、稳压二极管一般在反向击穿状态下工作

  A．PIN光电二极管作为光检测器件时，使用简单，但灵敏度较低

  B．APD雪崩二极管作为光检测器件时，使用简单，而且灵敏度高

  C．PIN光电二极管作为光检测器件时，使用复杂，而且灵敏度较低

  D．APD雪崩二极管作为光检测器件时，使用复杂，而且灵敏度较低

此题为判断题(对，错)。

B、温度升高，二极管的正向特性曲线要向左边移动，也就是说，对于二极管两端固定的电流值，温度升高，二极管两端电压要增加

C、温度升高时，二极管的反向特性下移幅度大，说明反向饱和电流增大得快，受温度影响大。这是因为温度升高，本征激发增强，导致二极管两个扩散区中的少子浓度增加所引起的

D、温度升高时，反向击穿电压值也下降了