下图所示场效应管，下列描述正确的是（）。

某场效应管的转移特性如下图所示，此场效应管是： 。

A、N沟道增强型

B、P沟道增强型

C、N沟道耗尽型

D、P沟道耗尽型

某场效应管的输出特性如下图所示，此场效应管是： 。

A、N沟道增强型

B、P沟道增强型

C、N沟道耗尽型

D、P沟道耗尽型

下图符号对应的场效应管是（ ）

A、N沟道耗尽型

B、P沟道耗尽型

C、N沟道增强型

D、P沟道增强型

某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。

A、P沟道增强型MOS管

B、P沟道耗尽型MOS管

C、N沟道增强型MOS管

D、N沟道耗尽型MOS管

某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：

A、P沟道增强型MOS管

B、P沟道结型场效应管

C、N沟道增强型MOS管

D、N沟道耗尽型MOS管

某管特性曲线如下图所示, 则该为

A、P沟道增强型MOS场效应管

B、N沟道结型场效应管

C、N沟道耗尽型MOS场效应管

D、N沟道增强型MOS场效应管

某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。

A、P沟道增强型MOS管

B、P沟道耗尽型MOS管

C、N沟道增强型MOS管

D、N沟道耗尽型MOS管

某器件特性如图所示, 则该管的类型是：

A、N沟道结型场效应管

B、P沟道结型场效应管

C、增强型N沟道MOS管

D、耗尽型N沟道MOS管

结型P沟道场效应管工作在恒流区时的栅源电压

A、大于0V

B、小于0V

C、等于0V

D、无要求

图LP3-3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略沟道长度调制效应。

(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。