下列关于光电开关说法正确的是

A、A. 它是用芯片工艺将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路集成在一块硅片上的图像传感器。

B、B. CMOS成像器件的像敏单元阵列实际上是光电二极管阵列，它没有线阵和面阵之分

C、C. CMOS成像器件的像敏单元有被动式像敏单元和主动式像敏单元两种结构类型

D、D. 早期的CMOS图像传感器采用被动像元结构，每个像敏单元由一个光敏元件和一个像元寻址开关构成，无信号放大和处理电路，性能较差。

A、光电开关实现将光信号变成电信号

B、光电开关实现将电信号变成光信号

C、按照接收器接收光的方式的不同，光电式接近开关可分为对射式、 反射式、 漫射式。

D、光电开关的信号线是棕色

A. 若某材料的逸出功是W，则它的极限频率

B. 光电子的初速度和照射光的频率成正比

C. 光电子的最大初动能和照射光的频率成正比

D. 光电子的最大初动能随照射光光强的增大而增大

A、可以实现输入、输出的电气隔离

B、可以把输入的光信号转换成电信号输出

C、可以把输入的电信号转换成光信号输出

D、输入、输出都是光信号

A、光子说完全否定了波动说

B、光的波粒二象性是指光与宏观概念中的波与粒子很相似

C、光的波动说和光子说都有其正确性，是完善的，可以解释一切实验现象

D、光的波粒二象性才是对光的本性的正确认识

A、光电三极管有c极与e极，可根据实物外形判断极性，长引脚为e极，短引脚为c极。

B、对于有标记（如凸起）的管子，则靠近标记处的引脚为e极，另一处引脚则相应为c极。

C、遮住光电管的光敏面，用万用表的R×1kΩ档，测量光电管两引脚间正、反向电阻，如果阻值均为∞，则此管为光电三极管。

D、与光电二极管不一样，光电三极管的好坏检测只需要进行遮光检测不需要进行受光检测。

A、金属的逸出功越大, 产生光电子所需的时间越长

B、金属的逸出功越大, 光电效应的红限频率越高

C、入射光强度越大, 光电子的初动能越大

D、入射光强度越大, 遏止电压越高

A、使用时在各个倍增电极上均加上电压，阴极电位最低，以后依次升高，阳极最高

B、各倍增极上加的电压是一样的

C、光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增级上，倍增级将发射出比入射电子数目更多的二次电子

D、入射电子经N级倍增极倍增后，光电子就放大N次

A、光电池时基于光生伏特效应制成的，时自发电势有源器件，其中硅电池应用最广泛

B、光敏电阻的工作原理是基于光电导效应，具有很高的灵敏度

C、光敏二极管的结构与普通半导体二极管类似，一般工作与反向偏置状态

D、入射光高于红限频率，如果光线比较微弱就不会又光电子发射出来。

B.适用于弱光检测环境

C.光电响应速度比常规光电二极管快

D.响应频带宽