以下属于晶体硅薄膜外延层光吸收增强技术的是（）。

A、微晶硅比非晶硅具有更好的结构有序性，用微晶硅薄膜制备的太阳能电池几乎没有光致衰减效应。

B、由于微晶硅的晶体特性，其在可见光波段的吸收系数比非晶硅的低，所以微晶硅薄膜太阳能电池需要比较厚的吸收层（至少1μm），而非晶硅薄膜太阳能电池的典型厚度为0.3μm。

C、微晶硅带隙接近单晶硅，室温下1.1eV，而非晶硅的带隙高得多，接近1.75eV。

D、以上都对。

A、层错法

B、四探针法

C、磨角法

D、滚槽法

A、为电池的窗口层；

B、具有较高的电导率；

C、具有较宽的光学带隙；

D、通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。

接上题，为了减少光在砷化镓一空气界面的反射，工艺上常在砷化镓表面镀一层氧化硅薄膜，氧化硅的折射率为1.7．现在单纯从几何光学角度提出一个问题，加膜后入射角为多大才不至于在空气表面发生全反射?试与不加膜时相比．(设膜很薄，可按平面板计算．)

紫铜气焊时，使用弱氧化焰，含硅焊丝，目的是使焊缝表面生成一层氧化硅薄膜，阻挡锌的蒸发。 ()

此题为判断题(对，错)。

A、易于进行腐蚀加工

B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO₂

C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D、易于进行n型和p型掺杂

A、易于进行腐蚀加工

B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2

C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料

D、易于进行n型和p型掺杂

A、易于进行腐蚀加工

B、带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO₂

C、易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D、易于进行n型和p型掺杂