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场效应管放大电路如下图所示。

 

在图所示的场效应管放大电路中，已知耗尽型绝缘栅场效应管3D01E的U_GS(off)=-2.5V，I_DSS=0.5mA，电路元件参数如图所注。试求其静态工作点的I_D、U_DS和U_GS值。

  

场效应管放大电路如下图所示，已知g_m=2mS, 

场效应管放大电路如下图所示，在静态工作点处的互导g_m=1ms，设，试解答：

  

  (1)计算电压放大倍数；

  (2)求放大电路的输入电阻R_i。

放大电路及场效应管的转移特性如下图a、b所示。

 

电路如图题5.2.6所示，设场效应管的参数为g_m1=0.8mS，λ₁=λ₂=0.01V^-1。场效应管的静态工作电流I_D=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。

两级放大电路如下图所示，已知场效应管V的g_m=1ms，晶体管VT的β=99，r_be=2kΩ，电容足够大。(1)试画出该电路的小信号等效电路;(2)说明 RG3的作用,并求输入电阻Ri; (3)求电压放大倍数 Au及输出电阻 Ro。  

结型场效应管放大电路及管子的输出特性如下图所示，试用图解法和计算法求工作点Q。

  

电路如下图所示所示，设场效应管的参数为g_m1=0.7mS，λ₁=λ₂=0.01V^-1。场效应管静态工作时的偏置电流I_REF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益A_v。