A.为N沟道增强型MOS管,
B.为N沟道增强型MOS管,
C.为N沟道耗尽型MOS管,
D.为N沟道耗尽型MOS管,
第1题
A、为N沟道耗尽型MOS管,,
B、为N沟道耗尽型MOS管,,
C、为P沟道耗尽型MOS管,,
D、为P沟道耗尽型MOS管,,
第2题
A、为P沟道增强型MOS管,
B、为N沟道耗尽型MOS管,
C、为N沟道增强型MOS管,
D、为P沟道结型场效应管,
第3题
A、为P沟道增强型MOS管,Up=1V
B、为N沟道耗尽型MOS管,UT=1V
C、为N沟道增强型MOS管,UT=1V
D、为P沟道结型场效应管,Up=1V
第4题
A、为N沟道增强型MOS管,
B、为N沟道耗尽型MOS管,
C、为N沟道耗尽型MOS管,
D、B和C
第5题
某场效应管的特性曲线如图所示,该管为:
A、P沟道增强型MOS管
B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管
D、N沟道耗尽型MOS管
第6题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为()。
A. 1mA/V
B. 0.5mA/V
C. -1mA/V
D. -0.5mA/V
第9题
图示是某场效应管的特性曲线。据图可知,该管是:
A、P沟道耗尽型MOS管
B、N沟道耗尽型MOS管
C、P沟道增强型MOS管
D、N沟道增强型MOS管
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