理想二极管在正偏和反偏时，二极管分别相当于（)

此题为判断题(对，错)。

齐齐哈尔工程学院2019—2020学年第二学期月考试卷（一） 课程名称：《模拟电子技术》 一、填空题（共40分，每题2分） 1.半导体中有两种载流子：自由电子与（ ）。 2.因浓度差而产生的运动称为（ ）。 3.将两种杂质半导体制作在同一个硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，上述两种运动最终达到动态平衡，从而形成（ ）。 4.三极管中漂移运动形成（ ）电流。 5. 由一个PN结组成，（ ）后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 6.PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。 7.漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 8.所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等效成断开； 9.P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。 10.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 11.当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 二、选择题（共10分，每题2分） 1.二极管两端电压大于（ ）电压时，二极管才导通。 A. 击穿电压 B. 死区 C. 饱和 D.开启电压 2.当温度升高时，二极管的正向电压（ ）。 A. 增大 B. 减小 C.不变 D.无法判定 3.晶体管在放大工作区时，随Ib的增加β值（ ）。 A、增加 B、下降 C、不变 D无法确定 4.三极管的反向电流ICBO是由（ ）组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 5.如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ） A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D不能确定。 三、判断题（共20分，每题2分） 1.PN结有单向导电性。（ ） 2.三极管有三区、三极和三个PN结。（ ） 3.三极管的发射结反偏，集电结正偏，起放大作用。（ ） 4.复合运动形成的基极电流。( ) 5.二极管的热击穿可逆，电击穿不可逆。( ) 6.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（ ） 7.未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（ ） 8.半导体中的空穴带正电。 （ ） 9.P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ ） 10.稳压二极管工作在反向击穿状态。（ ） 四、画图题（共30分） 电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。

二、填空题 （将正确的答案写在下画线的空位上，每空1分，共22分） 1、在本征半导体中加入五价元素可以形成 半导体，加入三价元素可以形成 半导体。 2、 二极管正常工作时处于 击穿状态。 3、共发射极放大电路中要保证集电结反偏， 正偏，使三极管工作在 区。 4、放大电路的 与 的比值，称为放大电路的输入电阻。 5、理想运放工作在饱和区时输出电压只有两种可能：+Uo (sat) 或–Uo (sat) 。当 u+> u－时，uo = ；u+< u－时，uo = 。 6、全波整流电路的优点是利用了电源的 个周期，所以电源利用率高，输出波形的脉动 。 7、逻辑代数基本定理中反演律公式：= ,= 。 8、“或”逻辑表达式为Y = A + B，当A=0，B=0时，Y= ；当A=1，B=1时， Y= 。 9、当一个逻辑函数包含有三个逻辑变量时，卡诺图共有 个小方格，每个小方格对应一个 。 10、基本RS触发器，当=0，=1时，将使Q= 。当=1，=1时，触发器状态 。 11、D触发器在 上升沿前接收信号，上升沿时触发器 。

在分析含理想二极管电路时,需先确定二极管是否导通,运用戴维南定理可很方便地解决这一问题.理想二极管导通时,其电阻可视为零;当截止时,其电阻可视为无限大.设含理想二极管电路如图题4-14所示,试求电流i.

在图示的二极管电路中，设二极管D是理想的(正向电压的为0V，反向电流为0A)且电压表内阻为无限大，则电压表的读数为：A．15V B．3V C．-18V D．-15V

在如图所示的二极管电路中，设二极管D是理想的(正向电压为0V，反向电流为0A)，且电压表内阻为无限大，则电压表的读数为（ ）。

A.15V

B.3V

C.-18V

D.-15V

)画出u₀₁和u₀₂的波形，标明电压幅值;(3)计算u₁=5V时的振荡频率。

极管的电流。