关于电容的下列说法，错误的是（）。

B.原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pF的瓷片电容，如遇印制板空隙不够，可每4～8个芯片布置一个1～10pF的钽电容。

C.对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的元件，如RAM、ROM存储元件，应在芯片的电源线和地线之间接入去耦电容。

D.高频旁路电容可以有引线。

A、对于孤立导体，可以认为它和无限远处的另一导体组成一个电容器。

B、几个电容器并联时，总电容增大了，但因每个电容器都直接连到电源上，故电容器组的耐电压能力受到耐电压能力最低的电容器的限制。

C、几个电容器串联时，虽然总电容比每个电容器的电容都减小了。但因总电压分配到各个电容器上，故电容器组的耐电压能力比每个电容器都提高了。

D、既然电容是反映电容器储存电荷本领大小的物理量，那么电容器的电容值必然与其所带的电量有关，所带电量越大，电容值就越大。

A. 总电量Q为两个电容器所带电量之和

B. 等效电容为两个电容之和

C. 若其中一个电容器的耐压等级较低，那么并联后的工作电压不超过这一电压值

D. 每个电容器上的电压值与其电容值成反比

A、对直流电容相当于断路

B、对交流电容有反抗作用

C、电容储存的是电场能量

D、电容系数的单位为库仑

A、电容元件具有“通交流、隔直流”的性质

B、电容元件具有“通高频、阻低频”的性质

C、电容元件是一个储能元件

D、电容元件是一个耗能元件

B．电容器两极板间的电势差越大.电容越大

C．电容器所带的电量增加一倍.两极板间的电势差也增加一倍

D．电容器两极板间的电势差减小到原来的1/2.它的电容也减小到原来的1/2

A、充电速度较慢

B、电容量大，一般双电层电容器容量很容易超过1F

C、循环使用寿命长，深度充放电循环使用次数可达50万次，没有“记忆效应”

D、功率密度高，可达300W/KG~5000W/KG

A、等效电路是用电阻、电容元件所构成的电路来模拟电极/溶液界面上所发生的过程

B、等效电路可用于研究小幅正弦波信号的浓差极化

C、各元件的阻抗大小代表子过程进行的难易程度

D、通常每个电极过程等效为一个或多个电路元件

A、按电桥的供电电源分，电桥可分为直流电桥和交流电桥两类

B、直流电源供电的电桥，只能接入电阻

C、交流电源供电的电桥，只能接入电感和电容

D、交流电源供电的电桥，可接入电阻、电感、电容

A、A．平衡需满足两个条件，即模和相位均平衡。

B、B．四个桥臂中，仅某个桥路为单电容或单电感，其他桥臂为纯电阻，则该电桥不可能平衡。

C、C．当某个电桥两个相对桥臂为电容或电感，其他桥臂为电阻时，该交流电桥不能正常工作

D、D．交流电桥对其供桥电源电压波形和频率稳定度要求不高，电桥平衡基本不受其影响或干扰。