正确的Henderson-Hasselbalch缓冲方程是（）

A、缓冲溶液只能用一种酸与对应的共轭碱组成

B、缓冲溶液容量的大小既与缓冲体系共轭酸碱对的浓度有关，又与其浓度比值有关

C、配置缓冲溶液时，要选用pKa等于或接近于该pH值得共轭酸碱对

D、含有0.10 mol/L NaAc 以及0.10 mol/L的HAc的100 mL缓冲溶液的pH为4.75（K（HAc ）=1.75*10^-5）

A、多缓冲剂是一种两性电解质缓冲剂

B、多缓冲剂是分子量大小不同的多种组分的多羧基多氨基化合物

C、多缓冲剂性质与两性载体电解质相似

D、多缓冲剂在280nm处吸收很低

A、使用的多缓冲剂和多缓冲交换剂的pH间隔为3个单位

B、为了提高分辨率, 选择的实验pH范围应包含要分离样品各组分等电点

C、需有 2 / 3 ~ 1 / 2 柱长的吸附解吸时间

D、PBE94是一种多缓冲交换剂

A、RLCD型缓冲电路可以有效地减小开关损耗

B、RLCD型缓冲电路只能改善关断过程，不能改善开通过程

C、RLCD型缓冲电路能够显著减小关断损耗，不能显著减小开通损耗

D、RLCD缓冲电路作为一个比较完整的电路，缺少任意一个元件均不能起到缓冲作用

A、次缓冲区用于存储音频素材

B、次缓冲区可以重新设定播放格式

C、次缓冲区只能有一个

D、次缓冲区可以依赖音频文件单独创建

A、材料的缓冲系数和质量一样，都是不变的。

B、缓冲系数与材料吸收能量呈正比。

C、缓冲系数是材料应力呈正比。

D、材料的缓冲系数和质量不一样，它是变化的。

A、全面缓冲形式主要有聚氨酯现场发泡、预成型全面缓冲、气垫及气柱全部裹包等形式

B、局部缓冲主要形式有角垫、底垫、底托、边垫（帽）、顶垫或几种形式的组合。适用于大批量产品。

C、全面缓冲适用于形状规则、价值高的产品。

D、局部缓冲主要是保护产品的角、棱、侧面或易损部件。

A、缓冲要求是指减少产品遭受的冲击。

B、分隔要求是要防止产品相互接触以免发生摩擦、碰撞、挤压。

C、局部保护主要是分散作用力、保护产品薄弱部件、凸起部位和表面。

D、缓冲设计要求主要是缓冲、固定和分隔、局部保护等要求。

A、能够在播放多个声音时进行混音

B、在使用DirectSound必须显式地创建主要缓冲区

C、用于对声音进行加速处理

D、用于控制全部次缓冲区

A、di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。

B、du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。

C、关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。

D、du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小器件的开通损耗。