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[判断题]

单晶体的滑移,实际上是位错的移动。

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第1题

试用位错理论简要解释单晶体滑移变化过程。
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第2题

1.试用位错理论简要解释单晶体滑移变化过程。
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第3题

金属多晶体比单晶体滑移抗力高, 原因之一是多晶体 ( )。

A、位错密度非常高

B、滑移系比单晶体少

C、存在大量晶界

D、晶粒位向差

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第4题

单晶体的滑移发生在()

A.原子排列密度最大的方向上

B.原子排列密度最大的面上

C.原子排列密度最大的方向和面上

D.不一定

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第5题

单晶体的塑性变形方式是滑移,而多晶体的塑性变形方式只能是孪生。()

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第6题

单晶体的塑性变形主要是以滑移的方式进行的。

A.错误

B.正确

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第7题

单晶体塑性变形时,滑移比孪生困难。
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第8题

单晶体塑性变形时,滑移比孪生()

A.容易

B.困难

C.同样

D.不一定

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第9题

fcc单晶体的(1-11)面上的滑移系的滑移方向包括( )。

A、[101]

B、[10-1]

C、[011]

D、[-1-10]

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