二极管的死区电压随环境温度的升高而（）。

齐齐哈尔工程学院2019—2020学年第二学期月考试卷（一） 课程名称：《模拟电子技术》 一、填空题（共40分，每题2分） 1.半导体中有两种载流子：自由电子与（ ）。 2.因浓度差而产生的运动称为（ ）。 3.将两种杂质半导体制作在同一个硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，上述两种运动最终达到动态平衡，从而形成（ ）。 4.三极管中漂移运动形成（ ）电流。 5. 由一个PN结组成，（ ）后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 6.PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。 7.漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 8.所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等效成断开； 9.P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。 10.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 11.当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 二、选择题（共10分，每题2分） 1.二极管两端电压大于（ ）电压时，二极管才导通。 A. 击穿电压 B. 死区 C. 饱和 D.开启电压 2.当温度升高时，二极管的正向电压（ ）。 A. 增大 B. 减小 C.不变 D.无法判定 3.晶体管在放大工作区时，随Ib的增加β值（ ）。 A、增加 B、下降 C、不变 D无法确定 4.三极管的反向电流ICBO是由（ ）组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 5.如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ） A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D不能确定。 三、判断题（共20分，每题2分） 1.PN结有单向导电性。（ ） 2.三极管有三区、三极和三个PN结。（ ） 3.三极管的发射结反偏，集电结正偏，起放大作用。（ ） 4.复合运动形成的基极电流。( ) 5.二极管的热击穿可逆，电击穿不可逆。( ) 6.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（ ） 7.未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（ ） 8.半导体中的空穴带正电。 （ ） 9.P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ ） 10.稳压二极管工作在反向击穿状态。（ ） 四、画图题（共30分） 电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。

此题为判断题(对，错)。

此题为判断题(对，错)。

B．减小

C．不变

D．大幅度增高

A. 调低—3mv/只℃

B. 调高—

C. 调低3mv/只℃

A、略有增加

B、减少

C、保持不变

D、与温度成比例增加