A. 通态压降小，约为1.1V，仅是IGBT通态压降的三分之一
B. B.开关速度快
C. C.工作温度高
D. D.即使关断失败也不会损害器件
第1题
A. 高电压
B. 大电流
C. 低通态压降
D. 开关速度快
E. 开关损耗小
第2题
A. 快恢复二极管
B. MCT
C. 肖特基二极管
D. 可控硅
第3题
A、转换功率巨大，导通时流过电流大、关断时承受反向电压大
B、需要由信息电子电路驱动
C、工作时通常需要安装散热装置
D、器件通常工作在放大状态
第4题
B、转换功率巨大，导通时流过电流大、关断时承受反向电压大
C、需要由信息电子电路驱动
D、工作时通常需要安装散热装置
第5题
第6题
B. 晶闸管
C. GRT
D. GTO
第7题
A、承受的电压和电流大
B、工作于开关状态
C、需要驱动电路与控制电路相联
D、需要考虑其散热
第8题
A、传送能量的模拟-数字-模拟转换技术
B、多学科综合设计技术
C、弱电控制强电的学科交叉技术
D、有效散热技术
第9题
第10题
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