A.消除感染物质
B. 炎症引流
C. 保存根方活髓诱导根尖形成
D. 药物诱导根尖形成
E. 诱导牙本质桥形成
第1题
B、直接充填
C、开髓拔髓后封药
D、牙髓切断术
E、根尖诱导成形术
采取谊处理方法的依据是A、消除感染物质
B、炎症引流
C、保存根方活髓诱导根尖形成
D、药物诱导根尖形成
E、诱导牙本质桥形成
右上颌第一切牙最佳处理方法A、观察
B、脱敏治疗
C、树脂充填
D、全冠修复
E、银汞充填
第2题
B、直接充填
C、开髓拔髓后封药
D、牙髓切断术
E、根尖诱导成形术
采取谊处理方法的依据是A、消除感染物质
B、炎症引流
C、保存根方活髓诱导根尖形成
D、药物诱导根尖形成
E、诱导牙本质桥形成
右上颌第一切牙最佳处理方法A、观察
B、脱敏治疗
C、树脂充填
D、全冠修复
E、银汞充填
第3题
A. 消除感染物质
B. 炎症引流
C. 保存根方活髓诱导根尖形成
D. 药物诱导根尖形成
E. 诱导牙本质桥形成
第4题
B、1/3
C、1/2
D、2/3
E、3/4
桩核预备时,唇侧肩台应为烤瓷冠留出的空间是A、0.5mm
B、1.0mm
C、1.5mm
D、2.0mm
E、2.5mm
桩核预备时,切端应为烤瓷冠留出的空间是A、3.0mm
B、2.5mm
C、2.0mm
D、1.0mm
E、以上都不是
第5题
B、1/3
C、1/2
D、2/3
E、3/4
桩核预备时,唇侧肩台应为烤瓷冠留出的空间是A、0.5mm
B、1.0mm
C、1.5mm
D、2.0mm
E、2.5mm
桩核预备时,切端应为烤瓷冠留出的空间是A、3.0mm
B、2.5mm
C、2.0mm
D、1.0mm
E、以上都不是
第6题
A.冷热测
B.根尖X线片
C.曲面断层片
D.咬合关系检查
E.牙髓活力电测定
第7题
B、根尖诱导成形术
C、根管治疗
D、干髓治疗
E、盖髓术
第8题
B、直接充填
C、开髓拔髓后封药
D、牙髓切断术
E、根尖诱导成形术
采取该处理方法的依据是A、消除感染物质
B、炎症引流
C、保存根方活髓诱导根尖形成
D、药物诱导根尖形成
E、诱导牙本质桥形成
右上颌第一切牙最佳处理方法A、观察
B、脱敏治疗
C、树脂充填
D、全冠修复
E、银汞充填
第9题
B、观察
C、根管治疗
D、盖髓治疗
E、干尸治疗
左上颌中切牙缺失,可采用修复方法是A、双端固定桥
B、种植义齿
C、单端固定桥
D、无卡环可摘局部义齿
E、半固定桥
第10题
B、脱落牙牙髓治疗后,复位再植固定
C、复位固定4周后,牙髓治疗
D、嘱患者伤口愈合后修复
E、立即修复
该牙常见的愈合方式为A、瘢痕愈合
B、牙周膜愈合
C、一期愈合
D、骨性粘连
E、炎症性吸收
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