右图所示为一固定偏置的单管放大电路，已知Ec=12V，Rb=400KΩ，Rc=3KΩ，三极管的β=50，试用估算法求

放大电路如图所示，已知：RB=240kΩ，RC=3kΩ，晶体管β=40，UCC=12V，现该电路中的三极管损坏，换上一个β=80的新管子，若要保持原来的静态电流IC不变且忽略UBE，应把RB调整为( )。

A．480kΩ

B．120kΩ

C．700kΩ

D．240kΩ

放大电路如图2.10所示，已知：R_B＝240kfΩ，R_C＝3kΩ，晶体管β＝20，U_CC＝12V。现该电路中的三极管损坏，换上一个β＝40的新管子，若要保持原来的静态电流I_C不变，且忽略U_BE，应把R_B调整为(  )。

  

  A．480kΩ  B．240kΩ  C．120kΩ

在图9.17所示两级阻容耦合放大电路中，R_B1=20kΩ，R_B2=10kΩ，R_C=3kΩ，R_E=1.5kΩ，U_CC=12V，硅晶体管的β=49，第一级放大电路的A_u1=-100，求该放大电路的总电压放大倍数。

   

设计一单管晶体管放大电路，已知R_L=3kΩ。要求：|A_u|≥60，r_i≥1kΩ，r_o＜3 kΩ，工作点稳定。建议选用高频小功率管3DG100，其技术数据见附录C，β值可选50～100之间。最后检查静态工作点是否合适。求得的各电阻值均采用标称值(查附录H)。

在下图所示放大电路中，已知U_DD=20V，R_D=10kΩ，R_G1=200kΩ，R_G2=51kΩ，R_G=1MΩ，R_S=10kΩ，在输出端接一负载电阻R_L=10kΩ场效应晶体管为N沟道耗尽型，其参数，I_DSS=0.9m，U_GS(off)2=-4V，g_m=1.5mA/V，试求静态作点及电压放大倍数

器的最大输出电压幅值为13V.

图P9.16

(1)为了使负载上得到的最大不失真输出电压幅值最大,基准电压U_REF应为多少伏?静态时u_o1和u_o2各为多少伏?

(2)若U_i足够大,则电路的最大输出功率P_om和效率?各为多少?

(3)若电路的电压放大倍数为20,则为了使负载获得最大输出功率,输入电压的有效值约为多少?

图15-34所示的是单端输入一双端输出差分放大电路，已知β=50，U_BE=0.7V，试计算电压放大倍数

图15.36(a)所示的是单端输入一单端输出差分放大电路，已知β=50，U_BE=0．7V，试计算电压放大倍数。

   

图9.18所示为一两级放大电路，己知晶体管的β₁=40，β₂=50，r_be=1.7kΩ，r_be2=1.1kΩ，R_B1=56kΩ，R_E1=5.6kQ，R_B2=20kΩ，R_B3=10kΩ，R_C=3kΩ，R_E2=1.5kΩ，求该放大电路的总电压放大倍数，输入电阻和输出电阻。

   

图9.18所示为一个两级放大电路，已知晶体管的β1=40，β2=50，。求该放大电路的总电压放大倍数，输入电阻和输出电阻。