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[单选题]

硅稳压管正常工作时,是工作在PN结的()。

A.正向导通区

B. 死区

C. 反向截止区

D. 反向击穿区

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第1题

硅稳压二极管工作在反向击穿状态,切断外加电压后,PN结仍处于反向击穿。()

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第2题

在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V ;锗二极管的门槛电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V 。 2 、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。 3 、二极管的最主要特性是 。PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。 4 、二极管最主要的电特性是 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 。 5 、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为 电子技术。 6 、PN结反向偏置时,PN结的内电场 。PN具有 特性。 7 、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 伏;其门坎电压V th 约为 伏。 8 、二极管正向偏置时,其正向导通电流由 载流子的 运动形成。 9 、P型半导体的多子为 、N型半导体的多子为 、本征半导体的载流子为 。 10 、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 半导体和 半导体两大类

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第3题

晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结,所以三极管在作放大管使用时,射极和集电极可相互调换使用。

A.错误

B.正确

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第4题

PN 结是由 和 在其结合面上形成的一种特殊结构的薄层,具有 ,其导通条件是
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