tanδ的测量值为负，就是试品的实际介质损耗因数值

现场用电桥测量介质损耗因数，出现tanδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tanδN>tanδx;②电场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。( )

A.直流电阻

B.直流泄流

C.绝缘电阻

D.介质损耗因数(tanδ)

A.测量绕组连同套管的直流电阻

B.所有分接的电压比

C.绕组连同套管的绝缘电阻

D.绕组连同套管的介质损耗因数(tanδ)

采用移相法测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，被试品的实际电容值等于正、反电源两次测量值的平均值。( )

测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时，同一绕组的套管()。

A、和

B、差

C、平均值

A、整体受潮

B、小体积试品的局部缺陷

C、大体积试品的局部缺陷

当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。( )

对高压电容式绝缘结构的试品，不仅要监测其绝缘介质损耗因数，还要监测其电容量的相对变化。( )