在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=20kΩ。G₁、G₂为（1)试计算

相器.

(1)试计算电路的正向阈值电压、负向阈值电压和回差电压.

(2)若将图P10.3(b)给出的电压信号加到图P10.3(a)电路的输人端,试画出输出电乐的波形.

计算图10-1施密特触发电路的和回差电压.已知R₁=5kΩ,R₂=10kΩ,R₃=33kΩ.G₁和G₂为CMOS反相器,它们的电源电压为,输出高电平,输出低电平

₂=33kn。G₁和G₂为CMOS反相器，它们的电源电压为V_DD=5V，输出高电平V_OH=5V，输出低电平V_OL=0V，阈值电压V_TH=0.5VDD=2.5V。

在图9．3．1(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10 kΩ，R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器，VDD=15 V。 (1)试计算电路的上限触发电平VT+，下限触发电平VT-和回差电压△VT． (2)若将图9．3．1(b)给出的电压信号加到图9．3．1(a)电路的输出端，试画出输出电压的波形。

在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=30kΩ，G₁和G₂为CMOS反相器，V_DD=15V。

  (1) 试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T-和回差电压△V_T。

  (2) 若将图题6.2(b)给出的电压信号加到图题6.2(a)电路的输入端，试画出电压的波形。

   

在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=30kΩ，G₁和G₂为CMOS反相器，V_DD=15V。

在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=30kΩ。G₁和G₂为CMOS反相器，V_DD=15V。

   

  (1)试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T+和回差电压△V_T。

  (2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端，试画出输出电压的波形。

在图10.3.1(a)所示的施密特触发电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=30kΩ。G₁和G₂为CMOS反相器，V_DD=15V。

  

  (1)试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T-和回差电压△V_T。

  (2)若将图10.3.1(b)给出的电压信号加到图10.3.1(a)所示电路的输入端，试画出输出电压的波形。

用集成施密特电路和集成单稳态触发器74121构成的电路如图9．6．3所示。已知施密特电路的VDD=10 V，R=100 kΩ，C=0．01μF，VT+=6．3 V，VT-=2．7 V；Cext=0．01μF，Rext=30 kΩ。 (1)分别计算vC的周期和vO2的脉宽。 (2)根据计算结果，画出vC，vO1，vO2的波形。

在图10.3.5所示施密特触发器中，若R₁=10kΩ、R₂=30kΩ、V_DD=15V。