已知图题3.2.1所示各MOS管的|V_T|=0.5V，忽略电阻上的压降，试分别确定它们的工作状态（导通或

试确定图2．4．1所示各增强型MOS管工作状态。已知各MOS管的∣VT∣=2 V，忽略电阻上的压降。

试确定图题3-4所示的MOS管中，哪些是导通的?哪些是截止的?

在图LT3-4所示电路中，已知VGS(th)=-1．5 V，增强型MOS管的μpCoxW／(2l)=80μA／V2，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm、rds值。

的输出电压幅度。

在图(a)所示电路中，已知MOS管的漏极特性如图(b)所示。试分析当u_I分别为3V，8V，12V时，该管处于什么状态。

图4-45所示为单级MOS放大电路，已知各管参数：g_m1=600μS，g_m2=200μs，r_ds1=r_ds2=1MΩ，η₁=η₂=0.1，(W/l)₁=200/20。(1)指出各电路名称，画出交流通路及交流等效电路；(2) 计算A_v=v_o/v_i和(W/l)₂值。

  

的漏电流为导通的允许的最大负载电流为这时对应的输出电压负载门是二输入端或非门74HC27,锤个输入端的高电中输入电流最大值为低电平输入电流最大值为试求在并且满足的情况下,R₂取值的允许范围.

判断图P3.2所示电路的工作状态。其中R_D=10kΩ；R_G=10kΩ．750kΩ；A=1(V_DD=5V)。设MOS管的开启电压V_TN=V_TP=2V。

   

试分析图题3-5所示MOS电路的逻辑功能，写出Y端的逻辑函数式，并画出逻辑图。

已知放大电路中，3个MOS管的3个电极的电位如下表所示，其开启电压(夹断电压)也在表中。分析这3个管子的类型及其工作状态。

MOS管	UGS(th)或UGS(off)	UG/V	US/V	UD/V	管 型	工作状态
V1	-4	0	5	-5
V2	4	3	-2	-1.5
V3	-3	0	0	10