设本振电压 在满足线性时变条件下，试分别求出晶体管的静态转移特性在下列两种情况下的变频跨

在图4．2．5所示的混频器电路中，设本振电压v0=V0mcosω0t。在满足线性时变条件下，试分别求出晶体管的静态转移特性在下列两种情况下的变频跨导gc：

混频 器晶体管在静态工作点上展开的转移特性由下式表示:

晶体三极管混频器的输出中频频率为fI=200 kHz，本振频率为fL=500 kHz，输入信号频率为fc=300 kHz。晶体三极管的静态转移特性在静态偏置电压上的幂级数展开式为iC=I0+avbe+bvbe2+cvbe3，设还有一干扰信号vM=VMmcos(2π×3．5×105t)，作用于混频器的输入端。试问：(1)干扰信号vM通过什么寄生通道变成混频器输出端的中频电压?(2)若转移特性为iC=I0+avbe+bvbe2+cvbe3+dvbe4，求其中交叉调制失真的振幅。(3)若改用场效应管，器件工作在平方律特性的范围内，试分析干扰信号的影响。

晶体三极管混频器的转移特性以及静态偏压V_Q、本振电压u_L(t)如图题9.2所示，试问哪种情况能实现混频?哪种不能?

 

混频器晶体管在静态工作点上展开的转移特性由下式表示： ic=I0+avBE+bvBE2+cvBE3+dvBE4 已知混频器本振频率f0=23 MHz，中频fi=f0-fs=3 MHz。若在混频器输入端同时作用着f1=19．6 MHz与f2=19．2 MHz的干扰信号。试问在混频器输出端是否有互调信号输出?它是通过转移特性的几次方项产生的?

图题9.13所示为一个场效应管混频器，其中，输入信号电压为u_s(t)=U_smcos(ω_st)，本振信号电压为u_L(t)=U_Lmcos(ω_Lt)，场效应管的转移特性曲线为

  式中，i_D为结型场效应管漏极电流；U_GS为栅极G与源极S之间的电压；I_DSS为栅极G与源极S之间的电压u_GS等于0时的漏极电流；U_p为夹断电压。

  设直流偏置电压为U_GS0。试证明：

  (1)该电路能够实现混频；

  (2)变频跨导

  (3)当U_Lm=|U_p-U_GS0|时，，g₀表示静态工作点上的跨导。

 

谐振功率放大器的晶体管理想化转移特性斜率g_c=1s，导通电压U_BE(on)=0.6V。

谐振功率放大器的晶体管理想化转移特性斜率g_c=1S，导通电压U_BE(on)=0.6V。

谐振功放电路如下图所示，放大器工作在临界状态，已知晶体管的转移特性的斜率g_c=1A/V，U_BE(on)=0.6V，电源电压V_CC=10V，ξ=0.95，θ=60°[α₁(60°)=0.39，α₀(60°)=0.22]。试求：

在下图所示晶体管混频电路中，晶体管在工作点展开的转移特性为i_C=a₀+a₁u_be+a₂，其中a₀=0.5mA，a₁=3.25mA/V，a₂=7.5mA/V²，若本振电压u_L=0.16cos(ω_Lt)V，信号电压u_s=10^-3cos(ω_ct)V，中频回路谐振阻抗R_p=10kn，求该电路的混频电压增益A_c。