第1题
如图8.16(a)所示,在半导体pn结附近总是堆积着正、负电荷,n区内是正电荷,p区内是负电荷,两区内的电量相等。把pn结看作一对带正、负电荷的“无限大”平板,它们相互接触,x轴的原点取在pn结的交接面上,方向垂直于板面。,设两区内电荷分布都是均匀的。
这种分布称为实变形模型,其中ND,NA都是常数,且有(两区内的电荷数量相等)。试证电场强度的大小为:
并画出ρe(x)和E(x)随x的变化曲线。
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第3题
半径为2R的均匀带电球,电荷的体密度为ρ,球心为O1,设想在球内有一个半径为R的球形空腔,球心为O2,O1O2=R,如图所示。根据叠加原理求O1,O2,P1,P2四点电场强度的大小,P1和P2在O1和O2的连线上,且P1O1=R,P2O1=2R。
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