A.3
B.5
C.4
D.2
第2题
A.加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
B.加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
C.加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
D.加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长
第3题
A.调整晶体生长的热系统,使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数,例如对于凸向熔体的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速,调整高温液流的增减
D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
第4题
A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
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