钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（)控制。

器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。

A.掩膜版

B.扩散

C.光刻

反应离子腐蚀是()。

A.化学刻蚀机理

B.物理刻蚀机理

C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

溅射法是由()轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。

A.电子

B.中性粒子

C.带能离子

在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括()

A.焊接电流、焊接电压和电极压力

B.焊接电流、焊接时间和电极压力

C.焊接电流、焊接电压和焊接时间

就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

方法。常用的电介质是()层。

A.多晶硅

B.氮化硅

C.二氧化硅

需在超净厂房内进行。

外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。