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影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些?

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第1题

常用溅射技术有哪几种,简述它们的工作原理和特点。

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第2题

对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产

生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?

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第3题

简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

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第4题

什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时,As和B哪种横向效应更大?为什么?

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第5题

在MEMS加工中,为了精确控制腐蚀深度,有哪几种腐蚀停止技术,分别说一下其腐蚀停止原理。

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第6题

物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。

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第7题

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进

气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?

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第8题

什么是固相外延(SPE)及固相外延中存在的问题?

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第9题

在铜互连中,为什么要用铜扩散阻挡层?阻挡层分成哪几种,分别起什么作用?

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第10题

什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应?如何解决?

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