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根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

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第1题

CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?

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第2题

对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms－1，表面反应速率系数ks=1×107exp(

对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁，石墨支座型;(2)热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

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第3题

什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?

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第4题

杂质原子的扩散方式有哪几种?它们各自发生的条件是什么?从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散

和氧化阻滞扩散的机理。

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第5题

热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高

斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

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第6题

离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞?两种阻滞本领与注

入离子能量具有何关系?

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第7题

MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最基本的区别是什么?

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第8题

在Word 2007中“样式”功能区在( )选项卡中。A.开始B.插入C.页面布局D.引用

在Word 2007中“样式”功能区在( )选项卡中。

A.开始

B.插入

C.页面布局

D.引用

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第9题

在整个音频测试过程中，应注意打开DTX功能。

此题为判断题(对，错)。

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第10题

直流供电回路接头温升不超过( )。A.70℃B.80℃C.50℃D.40℃

直流供电回路接头温升不超过( )。

A.70℃

B.80℃

C.50℃

D.40℃

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