A.多晶硅(微晶硅)薄膜
B.CuInSe2(CuInS2)薄膜
C.CdS薄膜
D.非晶硅薄膜
E.CdTe
第1题
20世纪80年代初,主要把()引入到电池的制造工艺中。
A、降低接触复合效应
B、后处理提高载流子寿命
C、改进陷光效应
D、表面钝化技术
第2题
20世纪70年代初,()开始引人到电池的制造工艺中,太阳电池转换效率有了较大提高。
A、背表面场
B、浅结表面扩散
C、表面织构化
D、细栅金属化
第3题
铸造多晶硅太阳电池的光电转换效率要比直接单晶硅低()。
A、4%~5%
B、3%~4%
C、2%~3%
D、1%~2%
第4题
将下列事件与时间关系等一一对应。
1).1839年
A、法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应
B、在固态硒(Se)的系统中也观察到了光伏效应
C、贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6%的单晶硅光电池
2).1876年
A、法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应
B、在固态硒(Se)的系统中也观察到了光伏效应
C、贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6%的单晶硅光电池
3).1954年
A、法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应
B、在固态硒(Se)的系统中也观察到了光伏效应
C、贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6%的单晶硅光电池
第7题
太阳电池组件目前使用最多的是()封装方式。
A、以上皆不是
B、环氧树脂胶封
C、硅胶封装
D、层压封装
第8题
太阳电池的实验室光电转换效率()工业化生产光电转换效率。
A、一致
B、低于
C、高于
D、未知
第10题
太阳电池材料缺陷属于下列()影响太阳电池转换效率的主要因素。
A、载流子迁移复合损失
B、连接转换等电学损失
C、其它损失
D、反射及遮蔽等光学性能损失
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