A.自身误差
B.基本误差
C.化误差
D.误差
第2题
SiHCl3还原法制备晶体硅,在生产过程中不需要控制()
A、反应温度在280℃~300℃之间
B、硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干
C、晶体生长速度
D、合成时加入少量的催化剂,可降低温度
第3题
试说明瓷片电容器上的容量标识为154,则其电容的容量大小值为()
A、154法
B、154微法
C、154皮法
D、0.15微法
第4题
8051的定时器T0作计数方式,用模式1(16位计数器)则应用指令()初始化编程
A、MOVTMOD,#01H
B、MOVTMOD,10H
C、MOVTMOD,#05H
D、MOVTCON,#05H
第5题
当CPU响应外部中断0INT0的中断请求后,程序计数器PC的内容是()
A、0003H
B、000BH
C、00013H
D、001BH
第7题
成排气孔是指4个或4个以上的气孔,边缘之间的距离不大于()
A、2mm
B、1.5mm
C、1.6mm
D、与距离无关
第8题
下列指令判断若定时器T0未计满数就原地等待的是()
A、JBT0,$
B、JNBTF0,$
C、JNBTR0,$
D、JBTF0,$
第9题
执行指令MOVXA,@DPTR时,WR、RD脚的电平为()
A、WR高电平,RD高电平
B、WR低电平,RD高电平
C、WR高电平,RD低电平
D、WR低电平,RD低电平
第10题
节点A连接三条支路,各条支路电流参考方向均指向A,且I1=5A,I2=5A,则I3=()
A、5A
B、-10A
C、15A
D、-15A
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