A.扩散法
B. 离子注入法
C. 合金法
D. 分离法
第4题
将下列硅太阳电池发展历程一一对应。
1).1958年
A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
2).20世纪70年代初
A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
3).20世纪80年代初
A、硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B、把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C、把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
第7题
A.适用于GaAs材料
B.适用于已形成PN结但还未做金属化的硅器件工艺
C.适应于Al材料
D.适用于已形成PN结的硅器件工艺
第9题
考虑一个硅PN结太阳电池,其面积为2cm2.若太阳电池掺杂浓度为Na=1.7×1016cm-3,Nd=5×1019cm-3)且已知τn=10μs,τp=0.5μs,Dn=9.3cm2/s,Dp=2.5cm2/s,IL=95mA.在室温下:
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