产生兴奋性突触后电位时突触后膜对哪种离子的通透性增加( )

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位

A、Ca2+B、Na+C、Cl-D、K+E、H+

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性？

A．Ca2+

B．C1

C．K+

D．Na+和K+，尤其是Na+

E．Cl-和K+，尤其是Cl-

突触后膜对某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位，该离子是

A.CA2+

B.NA+

C.CL-

D.K+

E.H+

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时，______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化；而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放，______离子内流而产生的______极化型电位变化。

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时，______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化；而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放，______离子内流而产生的______极化型电位变化。

兴奋性突触后电位的产生，是由于下列哪种离子在突触后膜的通透性增高

A．Ca2+

B．Cl-和K+，尤其是Cl-

C．Na+和K+，尤其是Na+

D．K+

A.突触前末梢递质释放增多

B.突触后膜对钾离子通透性增加

C.突触后膜对钠离子通透性增肌

兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致？

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性升高

A．Na+、K+、C1-，尤其K+

B．Ca2+、K+、C1-，尤其Ca2+

C．K+、C1-，尤其C1-

D．Na+、K+，尤其Na+

E．K+、Ca2+、Na+、C1-，尤其C1-