第6题
第7题
A、Id/Igdz
B、Id/2Igdz
C、2Id/Igdz
第8题
A、 中压侧发生单相接地时,自耦变接地中性点的电流可能为0;
B、中压侧发生单相接地时,中压侧的零序电流比高压侧的零序电流大;
C、高压侧发生单相接地时,自耦变接地中性点的电流可能为0;
D、高压侧发生单相接地时,中压侧的零序电流可能比高压侧的零序电流大。
第9题
A、 产生很高的工频高压;
B、 产生很高的尖顶波高压;
C、 不会产生高压;
第10题
A、 在开关场并接在一起后,合成一根后引至控制室,并在控制室接地后;
B、必须分别引至控制室,并在控制室一点接地后;
C、三次侧的UN在开关场就地接地,仅将二次侧的UN引至控制室,并在控制室接地后;
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